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    公开号:WO1985000246A1
    申请号:PCT/JP1984/000332
    申请日:1984-06-28
    公开日:1985-01-17
    发明作者:Keiichi Noi；Akihiro Takami；Kazuhide Ebine；Kimiko Kumazawa
    申请人:Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.；
    IPC主号:H01C7-00
    专利说明:
    [0001] • 明 細 書
    [0002] 発明の名称
    [0003] 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物
    [0004] 技術分野
    [0005] 本発明は各種電気機器， 電子機器において異常電圧吸収及び ノィズ除去などに使用される電圧依存性非直線抵抗体磁器組成 物に関するものである o
    [0006] 背景技術
    [0007] 従来各種電気機器， 電子機器において異常高電圧の吸収， 雑 音の除去， 火花消去 ¾どのために電圧依存性非直線抵抗特性を 有する S iCバリスタゃ ZnO系バリ スタ どが使用されている o このよう バリ スタの電圧一電流特性は近似的に次式のよ う に表わすことができる。
    [0008] I = ( V C )な
    [0009] ここで Iは電流， Vは電圧， Cはパリ スタ固有の定数でぁ 、
    [0010] «は電圧非直線指数である o
    [0011] SiCバリス タ の は 2〜 7程度， ZnO系バリ スタでは 5 Oに もおよぶものがある 0 このよ う バリスタはサージと呼ばれる 比較的高い電圧の吸収には優れた特性を有している力 誘電率 が低く固有の静電容量が小さいためバリス タ電圧以下の低い電 圧 （例えばノ イ ズ ¾どの吸収） に対してはほとんど効果を示さ ず、 また誘電損失角ね n 3 も 5〜 ι ο %と大きい o
    [0012] —方これら低電圧のノ イ ズ， 静電気 どの除去には組成や焼 成条件を適当に選択することによ ]9見かけの誘電率が
    [0013] 5 X 1 04〜 6 X 1 04 程度で tan 3が 1 %前後の半導体磁器コ ンデンサが利用されている o
    [0014] しかし、 これらの半導体磁器コ ンデンサはサージ ¾どの異常 高電圧が印加され、 ある限度以上の電流が素子に印加されると、 破壊した！） コ ンデンサとしての機能を杲たさるく ¾つた する。
    [0015] このよ う ¾理由から電気機器， 電子機器においては、 高電圧 のサージ吸収と低電圧のノィズ除去の両方を目的としてバリス タとコ ンデンサ及び他の部品 （例えばコ イ ルなど） とを組み合 わせて使用され、 例えばノ イ ズフ ィ ルタはこのよ う ¾檮成に ¾ つている o
    [0016] 第 1 図は一般的なノ イ ズフ ィ ルタ回路を示し、 第 2図はバリ ス タ ， コ ンデンサ及びコィルを組み合わせて構成された従来の ノ イ ズフ ィ ルタ回路を示してお] 、 1 はコイ ル、 2はコンデン サ、 3はバリス タである 0
    [0017] これらの回路に第 5図に示すよ うなノ イ ズ入力 Aを印加した ところ、 第 1 図の一般的なノ イ ズフ ィ ルタ回路からの出力特性 は第 5図の Cのようであ ] 、 十分にノィズが除去されてい ¾ぃ。 また第 2図に示すバリ スタを含む従来のノィズフ ィ ルタ回路か らの出力特性は第 5図の Bのよ うであ！）、 ノイズが除去されて いるが、 このよ う ¾構成では機器内部における部品点数が多く る上に機器の小形化動向に相反するという欠点を有していた。 従って異常高電圧を吸収し、 ノイズるどの低電圧を除去でき、 しかも部品点数が少なく小形化可能る電子部品が要求されてい o
    [0018] 発明の開示
    [0019] そこで本発明では、 S r T i〇3を S O . 8〇0〜9 9 . 9 9 6 モル ^
    [0020] O • と、 半導体化促進用金属酸化物と して Nb205を O.001〜0.200 モノレ と Ta205を O .001〜5. OOO モル ^含有し、 さらに Mn02 を O. O01〜2. OOO モル と、 Ga， P t， T^， S i， T i， L i， La， Cu, Y， Cs， Au， Mo， S， Be, A£ , Na， K， Ca, Cd， I n, B a, Pb, Eu, Gd, Tb, Tm, Lu, Tk, I r, Os , Hf , Ru, g, Zr, Sn, Sb, W からるる群から選択された少る く と も 1 種類以上 の元素を酸化物の形にして 0.0〇1〜2. OOO モル 含有するこ- とを特徵とする電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物を提供しよ う とするものである 0
    [0021] 図面の簡単 説明
    [0022] 第 1 図は一般的なノ イ ズフ ィ ル タ回路図、 第 2図は従来のバ リ ス ク と コ ンデンサを使用したノ イ ズフ ィ ルタ回路図、 第 3図 - は本発明による電 E依存性非直線抵抗体磁器組成物を用いた素 子の断面図、 第 4図は本発明による電圧依存性非直線抵抗体磁 器組成物を用いたノ イ ズフ ィ ル タ回路図、 第 5図は本発明と従 来のノ イ ズフ イ ルク回路による入力ノ イ ズ と出力状況を示す特 性図である o
    [0023] 発明'を実施するための最良の形態
    [0024] 発明者らは種々 の実験を積 重ねた結果、 チタ ン酸ス ト ロ ン . チウム （SrTi03) を主体と し、 半導体化促進剤と して Nb205と Ta205を添力 ϋし、 さらに Μη02 と他の適量の添加物を加えるこ とによ 、 従来の組成物とは異 る系での電圧依存性非直線抵 抗体磁器組成物を提案するも のであ ] 、 以下に実施例に基づき 本発明を説明する 0
    [0025] <実施例 1 >
    [0026] OMPI一 WIPO~ ^ SrTi〇3 と Nb2Os，— Ta2Osと Mn〇2， T^20 を下記の第 1 表に 示した組成比になるように秤量した後、 ボール ミ ルなどによ 湿式で 6時間混合し、 乾燥させた後、 空気中で1000〜1 2SO
    [0027] Ό、 1 〜 5時間仮焼する o その後、 ボール ミ ルなどによ！）湿式 で 4時間粉碎し、 乾燥させた後、 有機バイ ンダー （例えばポ リ ビニー ル アル コ ー ルなど） を 8 wt 加え造粒した後、 8. θ 0 X 1 . O (廳） tの形状にプレス圧 1 . Ot/cd で加圧成型した。 この成型体を還元雰囲気 （例えば N2 :H2=1 O : 1) Κ 300 〜 1 450 Cで 1 〜 6時間焼成した。 こう して得られた焼成体の 比抵抗は Ο. 1〜0. 8X2 · で、 平均粒径は 2 0〜5 0 ίΐ であ つた。 次に、 この焼成体を空気中で1000〜1 300'C で O.ち〜 5時間焼成し、 第 3図の焼結体 4を得た 0 さらに、 上記焼結体 4の両平面を S iC どの研磨剤で研磨し、 Ag などの導電性 金属を用いて電極 5， 6を形成した o 上記電極 5 , 6の径は 5. O jm) øとした o
    [0028] このようにして得られた素子の特性を第 1 表に併せて示す。
    [0029] O PI t to
    [0030] o Ul o Ul
    [0031]
    [0032]
    [0033] IV)
    [0034] υι o ϋΐ o Ul
    [0035] 1 ό 96.899 0.100 0.001 1.000 2.000 17 δ 9.8 1.0X 1 O4 5.0
    [0036] 17* 95.899 0,100 0.001 1.000 5.000 182 9.2 6 X 1 Q3 7.1
    [0037] 18* 97.899 0.100 0.001 2.000 Q 1 0 8.8 5 X 103 10.1
    [0038] 1 97.&9Q 0.100 0,0 Q 1 2.000 0.001 198 8.0 9 X 105 10.1
    [0039] 20 97,799 0.100 0.001 2.000 0.100 202 8.7 9 X 103 ;3
    [0040] 21 95.Q99 0.10Q 0.001 2.000 2.000 204 8.7 1.QX 104 8.9
    [0041] 22* 94.899 0.100 0.001 2.000 3.000 255 7.9 5 X 105 7.8
    [0042] 23* 9Q.899 0.100 1.000 0.001 0 90 8.0 4 X 105 4.0
    [0043] 24 98,898 0.100 1.000 0.001 0.001 100 9.2 8 X 1 O3 2.7
    [0044] 25 8.79 0.100 1.000 0.001 0.100 111 11.5 9 X 1 O5 2.3
    [0045] 26 90.899 0.100 1.000 0.001 2.000 127 11.0 1.1 X 104 2.3
    [0046] 27* 95.Q99 0.100 1.000 0.001 3.000 156 9.1 6 X 1 Q5 6.5
    [0047] 28* 7. 00 0.100 1.000 1.000 0 ' 130 8.2 5 X 105 4.2
    [0048] 29 97.Q99 0.100 1.000 1.000 0.001 147 9.2 8 X 105 2.9
    [0049] 30 97.800 0.100 1.000 1.000 0.100 150 12.0 9 X 103 2.5
    [0050] 31 95.900 0.1 Q 0 1.000 1.000 2.000 162 11.5 1.1 X 104 2.5
    [0051] 52 + 94.900 0.100 1.000 1.000 3.000 175 9.0 7 X 105 5.4
    [0052] to
    [0053] Ul o 01 o 01
    [0054]
    [0055] υι O ui o
    [0056] 50* 92.80 Q 0.1 Q 0 5.000 2.000 0.100 151 10.2 8 X 103 9.0
    [0057] 51* 90.900 0.100 5.D00 2.000 2.000 158 10.2 8 X 103 8.6
    [0058] 52* 89.90 Q 0.100 5.000 2.000 3.000 1 5 8.5 4 X 105 9.2
    [0059] 53* 92.899 0.100 7.000 0.001 0 40 4.0 6 X 103 6.2
    [0060] 54卞 2.898 0.100 7.000 0,0 Q 1 0.001 60 4.3 6 X 105 6.1
    [0061] 55卞 92.799 0.100 7.000 0.001 0,100 63 4.5 6 X 103 5.9
    [0062] 56* 0.899 0.100 7.000 0.001 2.000 69 4.5 6 X 103 5,9
    [0063] 57* 89.899 0.100 7.000 0.001 5.000 102 4.7 5 X 103 7.8
    [0064] 58；|< 91.900 0.100 7.000 1.000 0 49 4.4 6 X 103 10.2
    [0065] 5 91.89 0.100 7.000 1.000 0.001 75 4.8 ό X 105 10.1
    [0066] 60'ト 1.800 0.100 7.000 1.000 0.100 81 5.2 6 X 103 10.0 ό 1 * 89.900 0.100 7.000 1.0 ο ϋ 2.000 93 5.8 5 X 10δ 9.8
    [0067] 62* 88.900 0.100 7.000 1.000 5.000 124 5.0 4 X 10δ 9.9
    [0068] 65* 5.800 0.100 1.000 3,000 0.100 211 4.2 5 X 103 25.1
    [0069] 64* 2.900 0.100 1.000 3.000 5.000 244 5.5 4 105 21,0 比較例
    [0070] 一？一 ここで、 素子のバリ ス タ と しての特性評価は上述した電圧— 電流特性式
    [0071] I = ( Vゾ C )な
    [0072] (ただし Iは電流、 Vは電圧、 cはバ リ ス タ固有の定数、 αは 非直線指数） における な と Cによ つて行う ことが可能である ο しかし cの正確 ¾測定が困難であるため、 本発明においては、 mA のパ リ スタ電流を流 した時の単位厚み当 のバ リ スタ電 圧 （以下、 V1 mA/mm と呼ぶ） の値と、
    [0073] (ただし、 V 0mAは 1 O mA のバ リ ス タ電流を流 した時のバ リ ス タ電圧、 Vi mAは 1 mA のバ リ ス タ電流を流した時のバ リ スタ電 E)
    [0074] の値によ ] バ リ ス タ と しての特性評価を行つている o
    [0075] また、 コ ンデンサと しての特性評価は測定周波数 1 KHzにお ける誘電率 s , 誘電損失角 ιι δ で行っている 0 上記のデータは 還元雰囲気における焼成温度， 時間を 1 400'C， 2時間、 空気 中での焼成温度， 時間を 1 200 ， 3時間で行ったものである o く実施例 2〉
    [0076] SrTi〇3と Nb2〇5， Τ 205と Mn02 , Y2〇5 を下記の第 2表に 示した組成比にし、 上記実施例 1 と同様の操作で混合， 成形， 焼成を行い、 同様の条件で測定を した結果を第 2表に示す。
    [0077] W
    [0078] 2
    [0079]
    [0080] -X- J !
    [0081] cr>
    [0082] OS
    [0083] P S I
    [0084] 〇
    [0085] Ol to
    [0086] o
    [0087] to
    [0088] X X X X X X X X X X X X X X X X X
    [0089] s i ° o
    [0090] 11— 2 00/ 8dVJ i 9^00/S8 υι o 01 o υι
    [0091] 53 96.900 0.100 1.000 2.000 0 180 8.0 6 X1 Q5 10.0
    [0092] 34 9 ό.899 0.100 1.000 2.000 0.001 192 8.3 8 X1 Q5
    [0093] 55 ？ 6.8 D D 0.100 1.00 D 2.000 0.100 209 8.4 1.1X104 8.9
    [0094] 30 4.900 0.100 1.000 2.000 2.0 Q 0 213 8.9 1.4X1 Q4 8,8
    [0095] 57 + ？ 3.？ 00 0.100 1.000 2.000 3.000 255
    [0096] 58^ ？ 4.899 0.100 5.000 0.001 0 75 7.2 7 X103 a.o
    [0097] 39 ？ 4.898 0.100 5.000 0.001 0.001 84 7,4 9 X103 Li
    [0098] 40 9 .799 0.100 5.000 0.001 0.1 ϋ u 70 o 7. nU 9 X103 Z.4
    [0099] 41 ？ 2.8？ 9 0.100 5.000 0.Q 01 1 Ί Ί U.U 1.1X104 n
    [0100] 91.899 0.100 5.000 0.001 3.000 121 10-2 6 X103
    [0101] 43* 95.900 0.100 5.000 1.000 0 82 /.ό 7 X103 o.y
    [0102] 44 95.899 0.100 5.000 1.000 0.001 95 8.1 1 104 2.8
    [0103] 45 93.800 Q.100 5.000 1.000 0.10Q 102 9.9 1.2X104 2.6
    [0104] 46 1.900 0.100 5.000 1.000 2.000 10 10.2 1.1X104 2.6
    [0105] 47* 0.900 0.1 Q 0 5.000 1.000 3.000 123 10.5 5 X103 2.2
    [0106] 48* 92.900 0.100 5.000 2.000 0 5 Θ.4 7 X103 9Λ
    [0107] 49 92.899 0.100 5.000 2.000 0.001 108 9.0 8 X10 J 9.3
    [0108] X
    [0109] a β
    [0110] η ο V
    [0111]
    [0112]
    [0113] <実施例 3 >
    [0114] SrTiOs と Nb2〇5， Ta205と Mn02， BaO を下記の第 3表に 示した組成比にし、 上記実施例1 と同様の操作で混合， 成形， 焼成を行い、 同様の条件で測定をした結杲を第 3表に示す 0
    [0115] 以 下 余 白
    [0116] υι O Ul o Ul
    [0117] 3
    [0118]
    [0119] -^.
    [0120] -¾ ·¾ - リ
    [0121]
    [0122] - . SI
    [0123] Ol cx> cn
    [0124] '
    [0125] o ai
    [0126] X X X X X X X X X X X X X X X X
    [0127] 9
    [0128] <> P
    [0129] — 91—
    [0130] S800/f-8if/IDJ 9 S00/S8 OAt tv)
    [0131] Ul o Ul O Ul
    [0132] 氺
    [0133] 35 96.900 0.100 1.000 2.000 0 180 8.0 6 X105 10.0
    [0134] 54 96.899 0.100 1.000 2.000 0.001 1 0 8.5 8 X105 9.2
    [0135] 35 96.800 0.100 1.000 2.000 0.100 204 8.9 1 X104 9.0
    [0136] 36 94.900 0.1 Q 0 1.000 2.QQQ 2.000 210 9.4 1.5X1 Q4 8.8 氺
    [0137] 57 95.900 0.100 1.000 2.000 5.000 245 9.5 8 X 105 8.1 氺
    [0138] 58 4.899 0.100 5.000 0,001 0 75 7.2 7 X103 3.8
    [0139] 59 4.898 0.100 5.000 0.001 0.001 81 7.9 9 X103 2.9
    [0140] 40 94.799 D.100 5.000 0.001 0.100 85 9.9 1 X104 2.5
    [0141] 41 92.899 0.100 5.000 0.001 2.000 100 10.4 1.2X104 2.1
    [0142] 42 *个 91.899 0.100 5.000 0.001 3.000 115 11.0 6 X10 " 2.0 氺
    [0143] 43个 93.900 0.100 5.000 1.000 Q 82 7.6 7 X103 3.9
    [0144] 44 93.899 0.100 5.000 1.000 0-001 85 8.3 9 X10 J 2.9
    [0145] 45 3.800 0.100 5.000 1.000 0.100 97 10.1 1.1X104 2.6
    [0146] 46 1.900 0.100 5.000 1.000 2.000 108 11.2 1 X104 2.2
    [0147] 47 0.900 0.100 5.000 1.000 5.000 120 10.7 5 X103 2.1 氺
    [0148] 48 92.900 0.100 5.000 2.000 0 5 8.4 7 X103 9.4
    [0149] 49 92.899 0.100 5.000 2.000 0.001 102 9.2 8 xi r 9.3
    [0150]
    [0151]
    [0152] o in
    [0153] 8
    [0154] <実施例 4 >
    [0155] SrTiOs と Nb。0 ， Ta205と Mn02， Hf02を下記の第 4表に 示した組成比にし、 上記実施例 1 と同様の操作で混合， 成形， 焼成を行い、 同様の条件で測定をした結果を第 4表に示す o
    [0156] 以 下 余 白
    [0157]
    [0158] —ϋΖ·
    [0159] S8800/t8Jf/lDJ 9^00/28 OA Oi ro ro to ro ro ) ro
    [0160] o 00 J J ― cn o- O CO 00 oi cn CN
    [0161] CD CD ND CO 00 CD CD CD 00 CO 00 O 00
    [0162] o O O o •O -o •o -o
    [0163] o O >o OD > O ND -o o o o O O σ O p p p CD p
    [0164] o ◦ o o O o O o o o
    [0165] o o o o O o o o o p p
    [0166] CD o CD o o b o O CD CD o
    [0167] o CD σ o o o o
    [0168] O
    [0169] o CD
    [0170] S I
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    [0188] CM ro is CO
    [0189] 一
    [0190] 9^00/S80丛
    [0191] SS800/ 8Jf/XD«i ¾/o sssojsS8 OA
    [0192] V6 E0 IX L 0 921· l 00Ό ΟΟΌ'Ζ 00 O'S 0010 66d'Z6
    [0193] 0 l-X L S6 0 ΌϋΟΖ 00 O'S 00 0 ΌΌό'Ζό ε0 Ι·Χ 9 2 ' 69 I 0002 oom 00 O'S 00 0 ΟΟό'Οό
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    [0198] YZ ε0 tX 6 Q-6 OS 1· 000-2 l 00Ό 00 o's 00 0 66Q-Z6 1 V
    [0199] LZ 50 IX 8 90 t 00 0 ι· 00·0 00 o's 00に 0 66 .^ 6
    [0200] Ζ'ζ 20 IX L 8 00 i l 00Ό [ 0 ΟΌ 00 OS 00 ΙΌ 62
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    [0202] 6-B 0 l-X 8'9 092 000 000'3 oom 00レ 0 006-S6 "
    [0203] 69 0 IX 8 い 8 9172 00 o'z 0002 ooo't 00 0 92
    [0204] V6 0 IX L 08 00に 0 0002 OOO't 00に 0 008·96 9
    [0205] 9'6 0·8 902 100Ό 000'2 oom 00 0 66Q-96
    [0206] 0Ό i 0 IX 9 0Ό 08 I 0 0002 oom 00 0 00 -96
    [0207]
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    [0210] N CM
    [0211]
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    [0213] (M
    [0214] • <実施例 5 >
    [0215] SrTiOs と Nb205， Ta 0K と Mn02， Zr02を下記の第 5表に 示した組成比にし、 上記実施例 1 と同様の操作で混合， 成形， 焼成を行い、 同様の条件で測定をした結果を第 5表に示す 0
    [0216] 5 下 余 白
    [0217] 0
    [0218] S
    [0219] 0
    [0220] 5
    [0221] ΟΜΡΓ OS
    [0222] 91
    [0223] OI
    [0224] 9
    [0225]
    [0226] -93—
    [0227] 9^00/S80丛
    [0228] Z2200/f8di/10d IV) o ut
    [0229] 20
    [0230]
    [0231] /A 8Jεοο寸f εε>d 8 OAL
    [0232] n U L v / U O Z I i 1, o Q 000'3 0 o 0'9 00に 0 662Ί6 . 6 O n L / C
    [0233] o u n 0 o Q'Z 0009 00 ΙΌ 006Ί6 J
    [0234] t7 S 1. 000*9 000Ί 00 OS 00 0 ΟΟό'Οό
    [0235] 7 j n u i u nn i ^ o t 00 ΰ'Ζ 000 Ί- 000'9 0010 006"16 9
    [0236] fr0 IX 1· 10 I 001- 00 0 000Ί 00 OS 00 ΙΌ 00856 9 V
    [0237] /'z ε0 IX X X 6 2*9 56 000 00 O'l 000"S 00 0 66QZ6
    [0238] 7
    [0239] O z 0 IX L 7 Q o n n u n u n u'L n u n nc J 0 ο ο 00 ό'26
    [0240] Q 7'C Z I, o 0*0 0 o o 00 ΙΌ 66816
    [0241] C*7 j,0 IX I o o n L L u u u ο η ΙΌ 662'Ζ6 i
    [0242] CM '7 50 IX 6 0 o A n u n u rn u 1 n u n u'n u U U U η η I'D 66 6 0 t7
    [0243] ε01·Χ 8 C Q t 00Ό 1· 0 O'O 0 o 0'9 00 ΙΌ Q6Q'P 6 6 £ p o*c z f0 IX L ' t G 1 n U U U U u uコ π η L*n 66 6 9 ζ
    [0244] Q σO o Li-Q O Q o C 7 J l_ i π u n u n u*z 000 !- 0 ο ι,ο + ？
    [0245] 98 s0 IX 8 LQ ΐ· e 1 0002 0 o oz 0001- 00 Γ0 99
    [0246] 68 s0 l-X L ZQ 602 00レ0 0002 000Ί- 00 Γ0 00890 SS
    [0247] 170 50 ίΧ L 8 ό I I 00Ό 0007 0001 00 f0 66890 175
    [0248] 001· 01·Χ 9 09 081 0 o o ϋτ 000Ί- 001·Ό 006-96
    [0249] in O ID
    [0250] 8
    [0251] 比較例
    [0252] • 実施例 "1 〜 5に示したよ うに、 Nb205， Ta205は還元焼成時 に SrTi〇s を主体とする結晶中に固溶し、 原子価制御によ ] 焼 結体の比抵抗を 1. 前後に下げることができるため、 空 気中で再焼成することによ 焼結体粒子境界に高抵抗層が形成 されバリスタ特性を示す。
    [0253] また、 Nb2〇5は原料中の Ti02 中に混存して含まれるもので あ！)、 通常工業的に精製される原料中には O. 001〜0. 200モ ル 含まれる。 Nb205だけで SrTi03 を半導体化した場合比抵 抗はやや高く る ] 、 バリス タ特性は示すも のの特性が不安定で ある。 しかし、 Nb205に Ta205を加えると比抵抗を低くするこ とができ、 安定した特性が得られる。 Ta205の添加量は多過ぎ ると他の添加物の固溶を阻害するため、 O. 0〇1〜5. OOOモル ^が適当である。
    [0254] Mn02 を添加すると粒界に偏析することによ ] 、 粒界層を高 抵抗化し、 粒界のエネルギー障壁は高くるる o そのため Mn02 を添加することによ 1 非直線指数なは大き ぐなると共にパ リ ス タ電圧は高く なる 0
    [0255] また、 Mn02 添加によ 粒界の高抵抗領域が広がるため絶縁 層の厚みが増加したことにる 、 誘電率は減少する o
    [0256] Mn02 .は複数の原子価をとるため、 異なる原子価の Mil の間 でホッ ビング伝導を生じる可能性がある o そのため Mn02 の添 加量が増加すると が大き く 、 特性劣化の原因と ¾る0 従って、 Mn02 の添加量は、 O. 001〜2. OOOモル カ 適当で る〇
    [0257] Ga, P t， Ί£ , S i， T i , L i， La, Cu, Y, Cs , Au, Mo , S，
    [0258] O PI Be, , Na, , Ca， Cd， I n, Ba, Pb， Eu , Gd, Tb, Tm， Lu, Tk, I r, Os, Hf , Ru, Mg, Z r , S n , Sb及び Wからなる 群から選択された少¾く とも 1 種類以上の元素を同時に添加す ると、 Mn02 によって大き く した非直線指数なを変えることな く誘電率を大き く し、 δを小さくすることができ、 特性は大 幅に改善することができるが、 添加量が多く ると誘電率が小 さく ¾るため、 0.001〜2.000 モル が適当である ο
    [0259] ¾ぉ、 実施例では Ga， P t, T^, S i , T i , L i , La, Cu, Y, Cs， Au, Mo, S, Be, AS, Na , K, Ca, Cd, I n , B a, Pb， Eu， Gd, Tb, Tm, Lu, Th, I r , Os , Hf , Ru, Mg, Z r , S n, S b 及び Wをそれぞれ単体で加えた場合についてのみ示したが、 複 数種類の元素を同時に規定量の範囲内で加えても同様の効果が あることを確認した o
    [0260] 上記のよ うにして得られた素子に Ag るどの導電性材料によ 電極を設けた素子 7とコ イ ル S とを用いて第 4図に示したノ ィ ズフ ィ ルタを構成し、 第 5図に示したノ イズ入力 Aを印加し たところノ イ ズ出力 Bを得た。
    [0261] これよ！）明らかなよ うにノ イズは十分に除去され、 しかも素 子単体とコィルの組合せによ 部品点数が少なく な 、 小形化 が可能となる o
    [0262] 産業上の利用可能性
    [0263] 以上説明したよ うに本発明の電圧依存性非直線抵抗体磁器組 成物によれば、 電気機器， 電子機器に加わる異常高電圧吸収及 びノィズ除去が単一素子で行え、 多機能を有しかつ小形化可能 であ 、 電気機器及び電子機器の半導体製品の保護に ¾くては
    [0264] OMPI るら いものであ 、 実用上の利用価値は極めて大きい o
    [0265] 5
    [0266] 10
    [0267] 15
    [0268] 20
    [0269] 25
    [0270] OMPI
    [0271] WIPO
    权利要求:
    Claims 請 求 の 範 囲
    1. SrTi〇3 を SO.800〜99. 996 モル と、 半導体化促進用 金属酸化物として Nb205を O. OOi^O.200 モル と、 Ta205 を O.001〜5. OOO モル 含有し、 さらに MnOつ を O.001〜 2. OOO モル と、 Ga， P t , T ， S i , T i， L i , La， Cu, Y, Cs, Au, Mo, S， B e , A£ , Na , K， Ca , Cd, In, B a, P b , Eu, Gd, Tb， Tm, Lu, TK, I r , Os , Hf , Ru, Mg, Zr， Sn, S b 及び Wから る群から選択された少なく とも 1 種類以上の元素 を酸化物の形にして O.001 ~2.000 モル 含有することを特 徵とする電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 ο
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    法律状态:
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